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規(guī)格型號
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參數(shù)描述
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庫存
購買數(shù)量
單價
操作
產(chǎn)品說明:1200 V 75 A 四單元 IGBT模塊
封裝:AG-ECONO2B產(chǎn)品說明:650 V 225 A 三電平 IGBT模塊
封裝:AG-EASY2B產(chǎn)品說明:1200 V CoolSiC? MOSFET半橋模塊
封裝:AG-ECONOD產(chǎn)品說明:1200 V, 100 A PIM IGBT模塊
封裝:AG-ECONO3B產(chǎn)品說明:OptiMOS? 6 功率 MOSFET 150 V 正常電平,采用 D2PAK 3 引腳封裝
封裝:PG?TO263?3產(chǎn)品說明:1200 V 400 A 單開關(guān) IGBT模塊
封裝:AG-62MMES產(chǎn)品說明:1200 V 400 A 單開關(guān) IGBT模塊
封裝:AG-62MMES產(chǎn)品說明:1200 V 450 A 六單元 IGBT模塊
封裝:AG-ECONOPP產(chǎn)品說明:1200 V 300 A 六單元 IGBT模塊
封裝:AG-ECONOPP產(chǎn)品說明:1200 V 40 A PIM三相輸入整流 IGBT模塊
封裝:AG-ECONO3B產(chǎn)品說明:1200 V 40 A PIM三相輸入整流 IGBT模塊
封裝:AG-ECONO3B產(chǎn)品說明:1700 V 800 A 二極管 IGBT模塊
封裝:AG-62MMES產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 1600V 半橋控制模塊
封裝:AG-ECONO4產(chǎn)品說明:帶并行接口的高性能 4 Mbit FAST SRAM 存儲器
封裝:TSOP-44產(chǎn)品說明:80V、OptiMOS?5 功率 MOSFET 晶體管
封裝:PG-TSDSON-8產(chǎn)品說明:采用壓力接觸技術(shù)的70 mm單晶閘管模塊,1800 V
封裝:BG-PB70AT-1電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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